1. Ta strona wykorzystuje ciasteczka (cookies) w celu: utrzymania sesji zalogowanego Użytkownika, gromadzenia informacji związanych z korzystaniem z serwisu, ułatwienia Użytkownikom korzystania z niego, dopasowania treści wyświetlanych Użytkownikowi oraz tworzenia statystyk oglądalności czy efektywności publikowanych reklam.Użytkownik ma możliwość skonfigurowania ustawień cookies za pomocą ustawień swojej przeglądarki internetowej. Użytkownik wyraża zgodę na używanie i wykorzystywanie cookies oraz ma możliwość wyłączenia cookies za pomocą ustawień swojej przeglądarki internetowej. Dowiedz się więcej.
  2. Rejestracja na forum zamknięta, dostęp tylko przez zaproszenia. Gdzie znajdę zaproszenia?

  3. Zamknij zawiadomienie

Intel i Micron wprowadzają pierwszą na świecie, 25-nanometrową pamięć NAND

Temat na forum 'Nowinki' rozpoczęty przez maraski, Luty 3, 2010.

  1. maraski

    maraski Semper Fidelis-U.S.M.C
    Konsul

    Dołączył:
    Wrzesień 5, 2009
    Posty:
    1475
    Polubienia:
    1686
    Pierwsza na świecie 25-nanometrowa technologia NAND to ekonomiczny sposób na zwiększenie ilości danych, zdjęć i piosenek w popularnych urządzeniach elektronicznych i komputerowych.
    Firmy Intel Corporation i Micron Technology, Inc., zgodnie z tym co przewidzieliśmy, zapowiedziały dziś pierwszą na świecie 25-nanometrową technologię NAND, która umożliwi ekonomiczne zwiększenie pojemności pamięci w popularnych urządzeniach konsumenckich, takich jak smartfony, osobiste odtwarzacze muzyki i multimediów (PMP) oraz nowa klasa bardzo wydajnych dysków SSD.

    Pamięć NAND flash służy do przechowywania treści w urządzeniach elektroniki użytkowej. Zachowuje informacje nawet po wyłączeniu zasilania. Przejście na niższy wymiar technologiczny przełoży się na dalszy rozwój i nowe zastosowania technologii NAND. Proces 25-nanometrowy to nie tylko najmniejsza technologia NAND, ale najmniejsza technologia półprzewodnikowa na świecie - osiągnięcie, które pozwoli przechowywać więcej muzyki, wideo i innych danych we współczesnych urządzeniach elektronicznych i komputerowych.

    25-nanometrowy proces technologiczny opracowany przez IM Flash Technologies (IMFT), spółkę firm Intel i Micron, pozwala uzyskać 8 gigabajtów (GB) pamięci w pojedynczym urządzeniu NAND, zapewniaja więc więcej miejsca na dane w niewielkich gadżetach konsumenckich. Pamięć mierzy zaledwie 167 mm2 - mieści się w otworze płyty CD, a mimo to zawiera 10 razy więcej danych (standardowa płyta CD ma pojemność 700 megabajtów).

    Dzięki ciągłym inwestycjom w badania i rozwój pamięci NAND firmy Intel i Micron podwajają gęstość NAND mniej więcej co 18 miesięcy, co prowadzi do tańszych, wydajniejszych i pojemniejszych produktów. Intel i Micron założyły IMFT w 2006 roku, zaczynając produkcję od procesu 50-nanometrowego, po czym w 2008 roku przeszły na technologię 34-nanometrową. Rozpoczęcie produkcji w procesie 25-nanometrowym oznacza, że obie firmy jeszcze bardziej dystansują konkurentów, wprowadzając najmniejszą litografię półprzewodnikową, jaka jest dostępna w branży.

    - Opracowanie najbardziej zaawansowanego procesu technologicznego w całej branży półprzewodnikowej to fenomenalny wyczyn Intela i Microna. Liczymy na to, że uda nam się jeszcze bardziej przesunąć granice skalowania - powiedział Brian Shirley, wiceprezes grupy pamięci w firmie Micron. - Nowa technologia zapewni naszym klientom duże korzyści, umożliwiając produkcję nośników o wyższej gęstości - dodał.

    - Dzięki ciągłym inwestycjom w IMFT dysponujemy technologią i możliwościami produkcyjnymi, które przekładają się na najbardziej ekonomiczną i niezawodną pamięć NAND - powiedział Tom Rampone, wiceprezes i dyrektor generalny Intel NAND Solutions Group. - Spopularyzuje to stosowanie stacji półprzewodnikowych w urządzeniach komputerowych - dodał.

    25-nanometrowe urządzenie NAND o pojemności 8 GB jest już dostępne w postaci próbek inżynierskich i ma wejść do masowej produkcji w drugim kwartale 2010 roku. Oferuje najwyższą gęstość pamięci w pojedynczej kości multi-level cell (MLC) z dwoma bitami na komórkę i mieści się w standardowej obudowie thin small-outline package (TSOP). Aby zwiększyć pojemność pamięci, można w jednej obudowie ułożyć wiele urządzeń 8 GB jedno na drugim. Nowe 8-gigabajtowe urządzenie zmniejsza liczbę układów o 50 procent w porównaniu z poprzednimi generacjami technologicznymi, co przekłada się na mniejsze, bardziej zagęszczone konstrukcje i oszczędność kosztów. Na przykład dysk SSD o pojemności 256 GB można teraz zbudować z 32 takich urządzeń (poprzednio 64), w smartfonie o pojemności 32 GB wystarczy zastosować cztery, a w karcie pamięci o pojemności 16 GB - zaledwie dwa.


    2010-02-02
    [​IMG]
     
Wczytywanie...